5月12日，科友半導體宣布，公司自主研發(fā)出兩種不同加熱方式的PVT法晶體生長爐，完成了國產自主1至4代感應爐和1至3代電阻爐的研發(fā)，形成大尺寸低成本碳化硅產業(yè)化制備系列技術，并實現(xiàn)了6英寸碳化硅單晶襯底的規(guī)模生產和批量供貨，8英寸碳化硅單晶襯底的小批量生產及供貨，向碳化硅晶體生長企業(yè)提供涵蓋設備、材料及技術服務等全產業(yè)鏈的解決方案。
突破如下：熱場及耗材國產化率達到95%以上；長晶良率達到80%以上，晶體厚度達到40mm以上；打破傳統(tǒng)碳化硅粘接籽晶技術的限制；突破了大尺寸8英寸碳化硅單晶制備的關鍵技術；超強的兼容性；已申請專利129項，目前授權專利61項。
資料顯示，科友半導體成立于2018年5月，是一家專注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域，已形成自主知識產權，實現(xiàn)先進技術自主可控。
科友半導體在哈爾濱新區(qū)打造產、學、研一體化的第三代半導體產學研聚集區(qū)，實現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產業(yè)鏈閉合，致力成為第三代半導體關鍵材料和高端裝備主要供應商。
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