“芯”聞?wù)?br>
大基金二期增資多家廠商
218層3D NAND來了
日本半導(dǎo)體“芯”目標
半導(dǎo)體海外大廠最新動態(tài)
全球筆電出貨量預(yù)估
國資委加大力度支持集成電路產(chǎn)業(yè)
1
大基金二期增資多家廠商
2023年以來，募集資金2000億元的國家大基金二期則動作頻頻，增資了多家半導(dǎo)體廠商。
今年1月份，大基金二期投資國內(nèi)晶圓代工廠商華虹半導(dǎo)體。根據(jù)公告，大基金二期將向華虹半導(dǎo)體制造（無錫）有限公司投資11.66億美元；2月，國家信用信息公示系統(tǒng)顯示，長江存儲工商信息發(fā)生變更，大基金二期增資入股，認繳出資額為128.87億元；3月，大基金二期又相繼以1.6億元和10億元的金額認繳了晶瑞電材子公司湖北晶瑞和士蘭微控股子公司成都士蘭的新增注冊資本。
大基金二期增資多家廠商
218層3D NAND來了
日本半導(dǎo)體“芯”目標
半導(dǎo)體海外大廠最新動態(tài)
全球筆電出貨量預(yù)估
國資委加大力度支持集成電路產(chǎn)業(yè)
1
大基金二期增資多家廠商
2023年以來，募集資金2000億元的國家大基金二期則動作頻頻，增資了多家半導(dǎo)體廠商。
今年1月份，大基金二期投資國內(nèi)晶圓代工廠商華虹半導(dǎo)體。根據(jù)公告，大基金二期將向華虹半導(dǎo)體制造（無錫）有限公司投資11.66億美元；2月，國家信用信息公示系統(tǒng)顯示，長江存儲工商信息發(fā)生變更，大基金二期增資入股，認繳出資額為128.87億元；3月，大基金二期又相繼以1.6億元和10億元的金額認繳了晶瑞電材子公司湖北晶瑞和士蘭微控股子公司成都士蘭的新增注冊資本。
對于大基金二期的未來投資方向，有研報認為，二期會繼續(xù)承接一期的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，提升設(shè)備與材料領(lǐng)域的投資比重，同時加大對下游應(yīng)用端的投資。至于2023年的具體投資計劃，江蘇電子信息產(chǎn)業(yè)處近期下發(fā)的《關(guān)于組織召開大基金二期項目投資對接會的預(yù)備通知》顯示，大基金二期將在江蘇開展集成電路投資對接會，并介紹2023年大基金二期的投資情況、形勢和任務(wù)...詳情請點擊《華虹半導(dǎo)體/士蘭微等多家廠商“進賬”，2023年大基金二期的投資猜想》
2
鎧俠/西數(shù)推出218層3D NAND
近日，存儲器大廠鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同宣布推出最新的218層3D NAND閃存，該款產(chǎn)品是目前具有業(yè)界最高位密度的第八代BiCS閃存，現(xiàn)已開始為部分客戶提供樣品。
此次西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠推出的218層3D NAND閃存產(chǎn)品利用具有四個平面的1Tb三級單元 (TLC) 和四級單元 (QLC)，采用橫向收縮技術(shù)，可將位密度提高約50%。同時，其NAND I/O速度超過3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了約60%，此外，其寫入性能和讀取延遲則改善了20%。
鎧俠和西數(shù)表示，該產(chǎn)品采用先進的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，可以滿足廣泛市場領(lǐng)域呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)需求，包括智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等...詳情請點擊《鎧俠西數(shù)宣布推出218層3D NAND》
3
日本半導(dǎo)體“芯”目標
4月3日，央視新聞引述路透社報道稱，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省于當日公布了“半導(dǎo)體·數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略”修改方案。報道稱，修改方案設(shè)定了到2030年，日本致力于將半導(dǎo)體和數(shù)字產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)銷售額提高至目前的3倍、超過15萬億日元（約合人民幣7780.8億元）的目標。為達成這一目標，將需要官方和民間追加約10萬億日元投資。
曾幾何時，日本半導(dǎo)體占據(jù)著全球市場的半壁江山，然而，由于日本此后在半導(dǎo)體領(lǐng)域的設(shè)備投資落后等因素，導(dǎo)致其市場份額逐漸下滑。
數(shù)據(jù)顯示，日本在世界半導(dǎo)體的市場份額已經(jīng)從1988年的50.3%下降到2020年10%左右。此外，按照經(jīng)產(chǎn)省此前給出的數(shù)字，日本進入世界半導(dǎo)體領(lǐng)域十強的企業(yè)也從1992年的6家廠商減少至2019年的1家...詳情請點擊《日本新目標，7780億！》
4
半導(dǎo)體海外大廠最新動態(tài)
近日，三星、恩XP、京瓷、蔡司等半導(dǎo)體海外大廠動態(tài)頻頻。據(jù)外媒消息，京瓷周三表示，將投資620億日元（約4.7億美元）建立一個新的半導(dǎo)體相關(guān)部件的工廠。新的工廠將在今年晚些時候在日本長崎的諫早市破土動工，該筆資金的使用期限到2029年3月。
外媒報道稱，近日，三星電子已開始開發(fā)用于下一代高科技封裝的低溫焊接技術(shù)，計劃到2025年完成技術(shù)開發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)。
近日，為半導(dǎo)體光刻設(shè)備制造光學元件的蔡司SMT將在其位于德國黑森州韋茨拉爾的工廠開始建設(shè)新的光學元件工廠，以生產(chǎn)DUV（深紫外）光刻設(shè)備。它計劃于2025年完成。
據(jù)印度經(jīng)濟時報報道，恩XP半導(dǎo)體（恩XP）正與臺積電和格芯等代工合作伙伴討論在印度建立芯片制造廠的事宜。報道稱，恩XP總裁兼CEO庫爾特·西弗斯表示，他告訴印度總理莫迪，他將“強烈推薦”印度作為恩XP代工合作伙伴的未來選址...詳情請點擊《三星、恩XP、京瓷、蔡司...半導(dǎo)體海外大廠最新動態(tài)》
5
全球筆電出貨量預(yù)估
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年第一季全球筆電出貨量約3,390萬臺，季減13%、年減39%，主要是經(jīng)濟疲軟持續(xù)影響消費市場信心，拖累渠道筆電整機去化進度，也進一步促使品牌調(diào)降代工廠訂單，以有效調(diào)節(jié)庫存壓力。
2
鎧俠/西數(shù)推出218層3D NAND
近日，存儲器大廠鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同宣布推出最新的218層3D NAND閃存，該款產(chǎn)品是目前具有業(yè)界最高位密度的第八代BiCS閃存，現(xiàn)已開始為部分客戶提供樣品。
此次西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠推出的218層3D NAND閃存產(chǎn)品利用具有四個平面的1Tb三級單元 (TLC) 和四級單元 (QLC)，采用橫向收縮技術(shù)，可將位密度提高約50%。同時，其NAND I/O速度超過3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了約60%，此外，其寫入性能和讀取延遲則改善了20%。
鎧俠和西數(shù)表示，該產(chǎn)品采用先進的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，可以滿足廣泛市場領(lǐng)域呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)需求，包括智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等...詳情請點擊《鎧俠西數(shù)宣布推出218層3D NAND》
3
日本半導(dǎo)體“芯”目標
4月3日，央視新聞引述路透社報道稱，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省于當日公布了“半導(dǎo)體·數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略”修改方案。報道稱，修改方案設(shè)定了到2030年，日本致力于將半導(dǎo)體和數(shù)字產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)銷售額提高至目前的3倍、超過15萬億日元（約合人民幣7780.8億元）的目標。為達成這一目標，將需要官方和民間追加約10萬億日元投資。
曾幾何時，日本半導(dǎo)體占據(jù)著全球市場的半壁江山，然而，由于日本此后在半導(dǎo)體領(lǐng)域的設(shè)備投資落后等因素，導(dǎo)致其市場份額逐漸下滑。
數(shù)據(jù)顯示，日本在世界半導(dǎo)體的市場份額已經(jīng)從1988年的50.3%下降到2020年10%左右。此外，按照經(jīng)產(chǎn)省此前給出的數(shù)字，日本進入世界半導(dǎo)體領(lǐng)域十強的企業(yè)也從1992年的6家廠商減少至2019年的1家...詳情請點擊《日本新目標，7780億！》
4
半導(dǎo)體海外大廠最新動態(tài)
近日，三星、恩XP、京瓷、蔡司等半導(dǎo)體海外大廠動態(tài)頻頻。據(jù)外媒消息，京瓷周三表示，將投資620億日元（約4.7億美元）建立一個新的半導(dǎo)體相關(guān)部件的工廠。新的工廠將在今年晚些時候在日本長崎的諫早市破土動工，該筆資金的使用期限到2029年3月。
外媒報道稱，近日，三星電子已開始開發(fā)用于下一代高科技封裝的低溫焊接技術(shù)，計劃到2025年完成技術(shù)開發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)。
近日，為半導(dǎo)體光刻設(shè)備制造光學元件的蔡司SMT將在其位于德國黑森州韋茨拉爾的工廠開始建設(shè)新的光學元件工廠，以生產(chǎn)DUV（深紫外）光刻設(shè)備。它計劃于2025年完成。
據(jù)印度經(jīng)濟時報報道，恩XP半導(dǎo)體（恩XP）正與臺積電和格芯等代工合作伙伴討論在印度建立芯片制造廠的事宜。報道稱，恩XP總裁兼CEO庫爾特·西弗斯表示，他告訴印度總理莫迪，他將“強烈推薦”印度作為恩XP代工合作伙伴的未來選址...詳情請點擊《三星、恩XP、京瓷、蔡司...半導(dǎo)體海外大廠最新動態(tài)》
5
全球筆電出貨量預(yù)估
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年第一季全球筆電出貨量約3,390萬臺，季減13%、年減39%，主要是經(jīng)濟疲軟持續(xù)影響消費市場信心，拖累渠道筆電整機去化進度，也進一步促使品牌調(diào)降代工廠訂單，以有效調(diào)節(jié)庫存壓力。
第二季在筆電整機及零組件庫存壓力將會緩解的預(yù)期下，渠道回補需求可望逐月增強，同時帶動第二季筆電出貨量提升至3,763萬臺，季增11%，但仍較去年同期衰退18%。
TrendForce集邦咨詢預(yù)估，即便下半年旺季促銷活動仍將為市場帶來正面影響，然而，疫后復(fù)蘇遲滯，通脹影響消費級距擴大，企業(yè)縮減支出，恐將使得2023年全球筆電出貨量進一步下修，年衰退率收斂至13%...詳情請點擊《庫存壓力緩解，預(yù)估Q2全球筆電出貨量季增11%，提升至3763萬臺》
6
國資委加大力度扶持集成電路產(chǎn)業(yè)
4月6日，據(jù)國資委網(wǎng)站消息，國資委黨委書記、主任張玉卓表示，國資委將加大力度支持央企集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
報道稱，張玉卓調(diào)研中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團有限公司所屬華大九天時指出，集成電路產(chǎn)業(yè)是引領(lǐng)未來的產(chǎn)業(yè)。國資委將進一步精準施策，在人才、資金等方面加大政策支持力度，完善配套措施，支持中央企業(yè)在集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的完整性、先進性上攻堅克難、勇往直前，更好促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
張玉卓指出，要著力提升企業(yè)科技創(chuàng)新能力，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈布局創(chuàng)新鏈，瞄準全球行業(yè)競爭前沿，進一步加大關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)力度，搶占未來發(fā)展制高點，同時要加大開放合作力度，深入實施人才強企戰(zhàn)略，注重高端人才培養(yǎng)和人才梯隊建設(shè)，打造科技人才高地...詳情請點擊《國資委：將加大政策支持力度，促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展》
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
TrendForce集邦咨詢預(yù)估，即便下半年旺季促銷活動仍將為市場帶來正面影響，然而，疫后復(fù)蘇遲滯，通脹影響消費級距擴大，企業(yè)縮減支出，恐將使得2023年全球筆電出貨量進一步下修，年衰退率收斂至13%...詳情請點擊《庫存壓力緩解，預(yù)估Q2全球筆電出貨量季增11%，提升至3763萬臺》
6
國資委加大力度扶持集成電路產(chǎn)業(yè)
4月6日，據(jù)國資委網(wǎng)站消息，國資委黨委書記、主任張玉卓表示，國資委將加大力度支持央企集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
報道稱，張玉卓調(diào)研中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團有限公司所屬華大九天時指出，集成電路產(chǎn)業(yè)是引領(lǐng)未來的產(chǎn)業(yè)。國資委將進一步精準施策，在人才、資金等方面加大政策支持力度，完善配套措施，支持中央企業(yè)在集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的完整性、先進性上攻堅克難、勇往直前，更好促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
張玉卓指出，要著力提升企業(yè)科技創(chuàng)新能力，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈布局創(chuàng)新鏈，瞄準全球行業(yè)競爭前沿，進一步加大關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)力度，搶占未來發(fā)展制高點，同時要加大開放合作力度，深入實施人才強企戰(zhàn)略，注重高端人才培養(yǎng)和人才梯隊建設(shè)，打造科技人才高地...詳情請點擊《國資委：將加大政策支持力度，促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展》
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
