近期，北京大學電子學院彭練矛院士、邱晨光研究員課題組制備了10納米超短溝道彈道二維硒化銦（InSe）晶體管，成為世界上迄今速度最快、能耗最低的二維半導體晶體管。
該課題組首次使得二維晶體管實際性能超過Intel商用10納米節(jié)點的硅基Fin晶體管，并且將二維晶體管的工作電壓降到0.5V。
據(jù)“北京大學”介紹，這一研究實現(xiàn)了三方面技術革新：
首先，采用高載流子熱速度（更小有效質(zhì)量）的三層硒化銦作溝道，實現(xiàn)了目前場效應晶體管的最高值；
第二，解決了二維材料表面生長超薄氧化層的難題，制備出2.6納米超薄雙柵氧化鉿，將器件跨導提升到6毫西·微米，超過所有二維器件一個數(shù)量級；
最后，開創(chuàng)了摻雜誘導二維相變技術，克服了二維器件領域金半接觸的國際難題，將總電阻刷新至124歐姆·微米。
這項工作突破了長期以來阻礙二維電子學發(fā)展的關鍵科學瓶頸，將n型二維半導體晶體管的性能首次推近理論極限，率先在實驗上證明出二維器件性能和功耗上優(yōu)于先進硅基技術，為推動二維半導體技術的發(fā)展注入了強有力的信心和活力。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
