近日，存儲器大廠鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同宣布推出最新的218層3D NAND閃存。據(jù)鎧俠首席技術(shù)官M(fèi)asaki Momodomi介紹，公司與西數(shù)成功推出了目前具有業(yè)界最高位密度的第八代BiCS閃存，現(xiàn)已開始為部分客戶提供樣品。
此次西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠推出的218層3D NAND閃存產(chǎn)品利用具有四個平面的1Tb三級單元 (TLC) 和四級單元 (QLC)，采用橫向收縮技術(shù)，可將位密度提高約50%。同時，其NAND I/O速度超過3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了約60%，此外，其寫入性能和讀取延遲則改善了20%。
鎧俠和西數(shù)表示，該產(chǎn)品采用先進(jìn)的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，可以滿足廣泛市場領(lǐng)域呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)需求，包括智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
