消息人士表示，分析支出金額，三星已有技術(shù)制造某些芯片原型，SiC和GaN常用于最新電源管理零件，SiC因耐用性受汽車產(chǎn)業(yè)高度青睞，GaN則因具承受高頻快速開關(guān)，無線通訊更常應(yīng)用，比硅基半導(dǎo)體產(chǎn)品更受高端應(yīng)用青睞。
三星2023年初成立功率半導(dǎo)體工作小組，為制造SiC和GaN半導(dǎo)體的第一步。小組除了三星半導(dǎo)體員工，LED團(tuán)隊(duì)和三星高級技術(shù)學(xué)院（SAIT）也有參與。三星規(guī)劃用8英寸晶圓制造GaN和SiC半導(dǎo)體，直接跳過多數(shù)功率半導(dǎo)體商用6英寸晶圓切入階段。
Micro LED也會用8英寸晶圓生產(chǎn)，代表三星高級技術(shù)學(xué)院使三星Micro LED生產(chǎn)擁有GaN相關(guān)技術(shù)。
三星用8英寸晶圓生產(chǎn)SiC和GaN產(chǎn)品令人矚目，因SiC仍以4/6英寸晶圓生產(chǎn)為多，GaN生產(chǎn)則8英寸晶圓逐漸成主流。三星發(fā)言人表示，SiC半導(dǎo)體業(yè)務(wù)處于“研究階段”，尚未做任何決定。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
