參數(shù)名稱 屬性值
Brand_Name ON Semiconductor
是否無鉛 不含鉛
廠商名稱 ON Semiconductor(安森美)
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包裝代碼 418AJ
Reach Compliance Code not_compliant
Samacsys Description MOSFET NMOS D2PAK 150V 7.5 MOHM
雪崩能效等級（Eas） 502 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 150 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 110 A
最大漏極電流 (ID) 110 A
最大漏源導通電阻 0.0075 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-263AB
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 333 W
參考標準 AEC-Q101
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
