據(jù)黑龍江日報報道，哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司(以下簡稱“科友半導體”)開發(fā)的高性能碳化硅長晶裝備和高質(zhì)量襯底產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，形成了系列自主知識產(chǎn)權(quán)，獲得授權(quán)專利達133項，并實現(xiàn)規(guī)模銷售。
2018年，哈爾濱工業(yè)大學教授趙麗麗帶領(lǐng)技術(shù)團隊成立科友半導體，開展碳化硅高端裝備設(shè)計及晶體材料研究。目前科友半導體已累計投入研發(fā)經(jīng)費近2000萬元，獲得授權(quán)專利達133項。
科友半導體解決了大尺寸碳化硅單晶制備易開裂、缺陷密度高、生長速率慢等技術(shù)難題，突破了碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化系列關(guān)鍵技術(shù)，完成了6英寸設(shè)備研制、生產(chǎn)線搭建、單晶襯底材料制備等，并在此基礎(chǔ)上進一步實現(xiàn)了8英寸碳化硅單晶襯底制備。
科友半導體建設(shè)的省重點項目第三代半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)一期工程已投入生產(chǎn)，碳化硅長晶爐、籽晶、襯底等產(chǎn)品受到市場廣泛關(guān)注。根據(jù)報道，第三代半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)二期工程將于近期開工建設(shè)，建成后將實現(xiàn)年產(chǎn)導電型碳化硅襯底15萬片，科友的發(fā)展目標是成為全球第三代半導體關(guān)鍵材料供應(yīng)商。
據(jù)哈爾濱新區(qū)發(fā)布此前消息，2020年7月3日，科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目在哈爾濱新區(qū)江北一體發(fā)展區(qū)開工建設(shè)?？朴寻雽w產(chǎn)學研聚集區(qū)由科友半導體和哈爾濱新區(qū)共同出資建設(shè)。
該項目一期計劃投資10億元，主要建設(shè)中俄第三代半導體研究院、中外聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新中心、科友半導體襯底制備中心、科友半導體高端裝備制造中心、國際孵化基地、科友半導體產(chǎn)品檢驗檢測中心、人工寶石展覽館等項目。項目全部達產(chǎn)后，最終形成年產(chǎn)高導晶片近10萬片，高純半絕緣晶體1000公斤的產(chǎn)能；PVT-SIC晶體生長成套設(shè)備年產(chǎn)銷200臺套。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
