來源：全球半導(dǎo)體觀察
原作者：Emma
3月8日，據(jù)村田制作所消息，公司生產(chǎn)子公司Murata Integrated Passive Solutions將在法國卡昂新建一條200mm晶圓生產(chǎn)線，以擴大硅電容器的產(chǎn)能，生產(chǎn)的硅電容器將用于植入式醫(yī)療設(shè)備、電信基礎(chǔ)設(shè)施和移動電話。
新產(chǎn)線將生產(chǎn)硅電容
新生產(chǎn)線將于2023年春季開始籌建，安裝在現(xiàn)有建筑內(nèi)，預(yù)計這將在 2023年至 2025年間創(chuàng)造 100多個就業(yè)崗位。
此次新建的200mm晶圓生產(chǎn)線將采用Murata Manufacturing獨特的電介質(zhì)形成技術(shù) PICS（Passive Integration Connective Substrate）。據(jù)該公司稱，PICS 的特點是在電氣特性方面實現(xiàn)了高性能。新生產(chǎn)線上的產(chǎn)品將實現(xiàn)高性能和電容，它們的尺寸很小，厚度僅為 40 μm，主要針對移動終端市場。
Murata Integrated Passive Solutions是村田制作所于2016年10月收購的原法國IPDiA。IPDiA 于 2017 年 4 月 1 日更名為 Murata Integrated Passive Solutions。
該公司總部位于法國諾曼底卡昂，負(fù)責(zé)開發(fā)和生產(chǎn) 3D 硅電容器，主要用于植入式醫(yī)療設(shè)備、高可靠性應(yīng)用、電信基礎(chǔ)設(shè)施、汽車和移動設(shè)備。該公司在法國擁有 200 多名員工。
收購了前IPDiA之后，主營MLCC的村田制作所將硅電容器定位為“下一步行動”。
硅電容的優(yōu)勢
Murata Integrated Passive Solutions 常務(wù)董事 Franck MURRAY 表示：
「硅電容器技術(shù)正變得越來越有吸引力，并且已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了利基市場。此外，這些新應(yīng)用在空間和產(chǎn)量方面提出了嚴(yán)格的要求。這項投資也得到了法國和歐洲部委的支持。隨著這種支持，我們相信我們將能夠改進(jìn)我們的技術(shù)并為我們的客戶提供更大的價值?！?/p>
硅電容利用硅材質(zhì)制作而成，它跟普通電容類似，也是上下都是極板，中間是介電層，不同點是介電層使用的是硅材料。
硅電容在性能上有不少優(yōu)勢。因為使用的是硅材料，硅的穩(wěn)定性能比較好，因此硅電容也相應(yīng)具有出色的高頻特性和溫度特性、極低的偏置特性、很高的可靠性，以及低背化等特性。硅電容還做得更小更薄，標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100微米，定制化的可以做到40~50微米。封面圖片來源：拍信網(wǎng)
