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AMD同樣也是受益于ChatGPT的爆火，近日接到了不少客戶(hù)的CPU、GPU急單，并向臺(tái)積電擴(kuò)大了拉貨力道；蘋(píng)果同樣也擴(kuò)大了其AI芯片的下單規(guī)模。
每個(gè)包中包含6個(gè)反向施密特觸發(fā)器，它們都執(zhí)行布爾函數(shù)Y=A，可在2V - 6V的寬范圍內(nèi)操作，且具備廣泛的輸入升降時(shí)間范圍廣，抗噪能力強(qiáng)以及在溫度范圍內(nèi)擁有高達(dá)10 LSTTL的扇出參數(shù)，低功耗也成為它的優(yōu)勢(shì)。
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LM321G-SOT23.5R-TG
客戶(hù)不必?fù)?dān)心VCC 電容偏高導(dǎo)致系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)問(wèn)題，因?yàn)镮C 本身含有高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)，具有大電流恒流充電特性。。為了避免上述誤動(dòng)作發(fā)生，推薦VCC 電容盡量不要采用過(guò)低值，VCC電容值越大，待機(jī)功耗越低。
MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好；制造工藝簡(jiǎn)單、輻射強(qiáng)，因而通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路；。
（1）主要選型參數(shù)：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續(xù)漏電流，RDS(on) 導(dǎo)通電阻，Ciss 輸入電容（結(jié)電容），品質(zhì)因數(shù)FOM=Ron *_Qg等。（2）根據(jù)不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi)； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi)； SJ MOS：超結(jié)MOS，主要在高壓領(lǐng)域 600-800V；。
82N30G-SC59.3R-5TG LM393G-SOP8R-TG 2N7002ZDWG-SOT363L-TEG TL431G-TO92B-ATTG 75232G-TSSOP20R-TW2G 。
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MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。
業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)微軟、谷歌等硅谷大廠(chǎng)也將同步加大向英偉達(dá)的采購(gòu)力度。據(jù)悉，OpenAI已采用約2.5萬(wàn)顆英偉達(dá)GPU來(lái)滿(mǎn)足其當(dāng)前的服務(wù)器需求，且規(guī)模持續(xù)擴(kuò)增中。從下游來(lái)看，受益于ChatGPT走紅，英偉達(dá)客戶(hù)對(duì)于AI芯片的需求快速飆升。
UPC817DG-DIP4T-TG\U74LV1T34G-SOT353R-TG\U74LVC126AG-TSSOP14R-TG\UT100N03L-TO220T-TG。
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HJ44H11L-TO252R-TG ULN2003G-SOP16R-TW2G MJE13003L-TO92B-B-TGP TDA2030AL-TO220BT-TG U74AHC1G08G-SOT353R-TG 。
重載和中載：FB 調(diào)整芯片工作在PWM mode 里，F(xiàn)B 值調(diào)整CS 值。
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