2月3日，復(fù)旦大學(xué)寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項目——清純半導(dǎo)體研發(fā)基地舉行啟用儀式。
清純半導(dǎo)體消息顯示，清純半導(dǎo)體研發(fā)基地總面積4600平米，建設(shè)四大實驗平臺：一樓建設(shè)器件性能測試平臺、晶圓測試及老化平臺；三樓建設(shè)可靠性及應(yīng)用平臺；四樓建設(shè)器件測試及老化平臺。實驗室總規(guī)劃面積超2500平米，配備了國際領(lǐng)先的功率器件參數(shù)測試及可靠性設(shè)備，平臺總投入近億元，具備支撐月產(chǎn)近千萬顆碳化硅器件的測試及篩選能力。
清純半導(dǎo)體成立于2021年3月，是一家碳化硅功率器件設(shè)計和供應(yīng)商。寧波前灣新區(qū)消息顯示，清純半導(dǎo)體已正式量產(chǎn)首款國產(chǎn)15V驅(qū)動SiC MOSFET，推出國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，同時獲得AEC-Q101車規(guī)認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核。