近日，據(jù)韓媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子在全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)分別連續(xù)30年和20年保持第一的位置。
同時(shí)，各大廠商多年來(lái)孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程。業(yè)界擔(dān)心，三星主導(dǎo)地位未來(lái)將被動(dòng)搖。在這之下，未來(lái)存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局是否將發(fā)生改變？
01層數(shù)之爭(zhēng)火勢(shì)更旺
美光、SK海力士、三星等廠商一直不斷地追逐NAND閃存更高層數(shù)，在跨越100層后便開始向200+層邁進(jìn)，以達(dá)到性能的提高。
從去年的技術(shù)成績(jī)來(lái)看，美光方面，2022年7月，美光全球首款232層NAND閃存在新加坡工廠正式量產(chǎn)，而當(dāng)時(shí)的三星正在苦研176層NAND閃存。同年12月，美光成功向PC OEM客戶出貨232層NAND客戶端SSD，該產(chǎn)品適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。
SK海力士方面，2022年8月，SK海力士成功開發(fā)出238層NAND閃存，這是目前世界最高層數(shù)，該公司已向客戶發(fā)送238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，并計(jì)劃在2023年上半年投入量產(chǎn)。
三星方面，隨著業(yè)界不斷傳出閃存技術(shù)的新動(dòng)態(tài)，三星也不免跟著著急，面對(duì)各種雜音，三星曾表示將在2022年內(nèi)發(fā)布236層NAND閃存產(chǎn)品。為進(jìn)一步加大研發(fā)力度，三星還計(jì)劃開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，該中心將負(fù)責(zé)開發(fā)更先進(jìn)的NAND閃存產(chǎn)品。
終于在2022年11月，三星宣布量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片，這是三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（128GB）三比特單元（TLC）的第8代V-NAND。而三星的第九代V-NAND目前尚在開發(fā)中，并計(jì)劃從2024年開始量產(chǎn)第9代NAND閃存。
三星曾預(yù)計(jì)，到2030年公司將打造出堆疊層數(shù)超1000層的V-NAND。并且為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星正在從當(dāng)前的TLC架構(gòu)過(guò)渡到四級(jí)單元（QLC）架構(gòu)，以提高密度和啟用更多層數(shù)。
而西數(shù)/鎧俠方面，西數(shù)于去年5月表示，未來(lái)將與鎧俠推出200層以上（BiCS+）的閃存產(chǎn)品，2032年之前還將陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上的閃存技術(shù)。不過(guò)目前西數(shù)和鎧俠暫無(wú)最新的消息。
從市場(chǎng)份額上看，據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示，截止2022年第三季度，在NAND閃存市場(chǎng)，三星的市場(chǎng)份額為31.4%，排行第一；其次是鎧俠、20.6%；后面是SK海力士、18.5%，西部數(shù)據(jù)、12.6%，美光、12.3%。
雖然看起來(lái)市場(chǎng)份額仍然差距較大，但在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的猛烈追趕下，三星三星難免感受到壓力。
值得注意的是，西部數(shù)據(jù)近日宣布，將獲得由Apollo全球管理公司牽頭的9億美元投資。對(duì)于此次投資，有消息人士表示，這是西部數(shù)據(jù)與日本Kioxia（鎧俠）合并的前兆。
倘若鎧俠和西數(shù)合資計(jì)劃最終確定，這或?qū)?duì)市場(chǎng)造成巨大的影響。
02先進(jìn)制程競(jìng)賽持續(xù)
DRAM是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的大宗產(chǎn)品之一，經(jīng)過(guò)幾十年的大浪淘沙，英特爾、東芝、松下、德州儀器、IBM、Motorola等曾經(jīng)的強(qiáng)者退出DRAM江湖，如今DRAM市場(chǎng)形成了三足鼎立的格局，主要由三星、SK海力士、美光三大巨頭所領(lǐng)導(dǎo)。
據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月16日研究顯示，截止2022年第三季度，在DRAM市場(chǎng)中，三星份額為40.7%，仍占據(jù)全球第一，SK海力士為28.8%，排位第二，美光為26.4%，居第三。
在DRAM先進(jìn)制程競(jìng)賽道上，存儲(chǔ)大廠為搶占技術(shù)先機(jī)，也是一刻也不停緩。
美光方面，2022年11月初，美光已經(jīng)將1β DRAM（第五代10nm級(jí)別DRAM）產(chǎn)品送往了客戶的產(chǎn)品驗(yàn)證流水線，這也意味著10納米級(jí)別的芯片工藝已經(jīng)來(lái)到了第五代。相較于1α（alpha），1β（beta）在16G bit的容量下，能效提高約15%、內(nèi)存密度提升35%以上。
同年11月中旬，美光尖端存儲(chǔ)器1β DRAM在日本廣島量產(chǎn)。美光日本廣島工廠一直致力于尖端技術(shù)產(chǎn)品DRAM的生產(chǎn)，目前，該廠投產(chǎn)制程主要為1Z納米（占比50%以上）和1Y納米（占比約35%）。
美光DRAM制程已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了1Xnm、1Ynm、1Znm、1α四個(gè)節(jié)點(diǎn)，并率先進(jìn)入了1β節(jié)點(diǎn)。據(jù)悉，美光正在對(duì)下一代1γ（gamma）工藝進(jìn)行初步的研發(fā)設(shè)計(jì)。
三星方面，2022年10月，三星在Samsung Foundry Forum 2022活動(dòng)上公布DRAM技術(shù)路線圖。根據(jù)路線圖，三星預(yù)計(jì)，2023年進(jìn)入1b nm工藝階段，即第五代10nm級(jí)別DRAM產(chǎn)品，芯片容量將達(dá)到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp之間。
同年12月，三星開發(fā)出首款采用12nm級(jí)工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。
自此來(lái)看，業(yè)界表示，10納米級(jí)別的DRAM制程經(jīng)過(guò)了依次為1X（16nm-19nm）、1Y（（14nm-16nm））、1Z（12nm-14nm）、1α（約13nm），目前來(lái)到1β（10-12nm）、1γ（約10nm，1β的增強(qiáng)版）的節(jié)點(diǎn)。
對(duì)DRAM芯片來(lái)說(shuō)，隨著晶體管尺寸越來(lái)越小，芯片上集中的晶體管就越多，也就是說(shuō)一片芯片能實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量。
而從產(chǎn)品價(jià)格上看，去年以來(lái)，DRAM價(jià)格持續(xù)下跌。據(jù)TrendForce集邦咨詢1月9日研究指出，由于消費(fèi)需求疲弱，存儲(chǔ)器賣方庫(kù)存壓力持續(xù)，僅三星（Samsung）在競(jìng)價(jià)策略下庫(kù)存略降。為避免DRAM產(chǎn)品再大幅跌價(jià)，諸如美光（Micron）等多家供應(yīng)商已開始積極減產(chǎn)，預(yù)估2023年第一季DRAM價(jià)格跌幅可因此收斂至13~18%，但仍不見下行周期的終點(diǎn)。
DRAM產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、服務(wù)器、PC等下游領(lǐng)域，近年來(lái)，消費(fèi)終端需求不振，DRAM市場(chǎng)持續(xù)蕭條。面對(duì)未來(lái)，內(nèi)存廠商唯有持續(xù)研發(fā)推出1β、1γ...或更先進(jìn)制程的DRAM產(chǎn)品，擁有高新技術(shù)，才能在逆境中站穩(wěn)每一步腳跟。
