限時回放 | MTS 2023干貨合集
湖北再添一存儲器項目
兩大國際半導體廠商會談
華潤微電子2大項目新進展
國內半導體設備再突破
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MTS 2023干貨合集2023年1月5日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機構TrendForce集邦咨詢以及旗下全球半導體觀察主辦的“MTS 2023存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會”成功舉辦。
本次線上峰會吸引了超過2萬名業(yè)內人士觀看，6位演講嘉賓分別從各自領域深度解讀存儲產(chǎn)業(yè)技術演進動態(tài)與未來發(fā)展趨勢，引發(fā)熱烈反響。
其中，集邦咨詢資深研究副總郭祚榮發(fā)表了全球內存市場的機遇與挑戰(zhàn)的主題演講，他表示，全球內存產(chǎn)業(yè)在通貨膨脹壓力與需求持續(xù)走弱下，DRAM價格自2022年年初以來就一路走跌，去年第四季度合約價跌幅更超過20％上下，今年上半年跌幅也在10-20%間...詳情請點擊《干貨 | MTS 2023集邦咨詢存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會圓滿結束，演講精華匯總》
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湖北再添一存儲器項目1月3日，萬潤科技發(fā)布公告稱，公司與湖北省武漢市青山區(qū)人民政府于2022年12月30日就公司在武漢市青山區(qū)投資興建“湖北長江萬潤存儲器項目”達成一致合作意見并簽署《投資合作框架協(xié)議》。
萬潤科技決定在武漢市青山區(qū)設立公司控股的存儲器項目子公司，子公司名稱為湖北長江萬潤半導體技術有限公司，初期注冊資本3500萬元。
萬潤科技計劃按照“研發(fā)、銷售先行，制造逐步完善”的思路，在青山區(qū)分期建設存儲器研發(fā)中心、存儲器封裝及測試項目，重點投入存儲應用研發(fā)技術、晶圓封裝設備、模組生產(chǎn)設備與測試技術等，研發(fā)生產(chǎn)嵌入式固態(tài)存儲、監(jiān)控級固態(tài)存儲、工業(yè)與車規(guī)級SSD、中端消費級SSD、閃存封測定制等中高端產(chǎn)品...詳情請點擊《湖北再添一存儲器項目，加快建設全國先進存儲“產(chǎn)業(yè)航母”》
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兩大國際半導體廠商會談1月6日，SK海力士宣布，SK海力士副會長兼聯(lián)合CEO樸正浩在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。
1月4日（美國時間），樸正浩副會長與SK海力士社長兼聯(lián)合CEO郭魯正及其他高層領導，與高通公司總裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯維加斯舉行了會談。雙方高層就眾多話題展開討論，涉及半導體與其相關的整體未來產(chǎn)業(yè)。
SK海力士表示，高通公司正在尋求業(yè)務擴展機會，此時舉行高層會談恰逢其時。我們期望此次會談能夠為雙方更積極的交流鋪平道路，為我們供應業(yè)界頂級的存儲解決方案等國際合作進一步激活提供機會...詳情請點擊《SK海力士與高通舉行會談， 探討加強半導體業(yè)務合作》
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華潤微電子2大項目新進展12月29日，據(jù)華潤微電子官方公眾號消息，華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線以及先進功率封測基地實現(xiàn)通線。
華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線項目總投資75.5億元，項目建成后預計將形成月產(chǎn)3-3.5萬片12英寸中高端功率半導體晶圓生產(chǎn)能力，并配套建設12英寸外延及薄片工藝能力。據(jù)悉，從項目公司注冊成立，華潤微電子僅用18個月即實現(xiàn)包括中低壓溝槽SGT MOS、高壓超結SJ MOS在內的四個產(chǎn)品平臺全部通線，該項目進入產(chǎn)品投產(chǎn)流通與產(chǎn)能建設上量并行階段。
華潤微電子先進功率封測基地項目，是華潤微電子布局的中高端功率封裝項目，致力于打造聚焦于汽車電子和工控市場、國內工藝全面、技術先進、規(guī)模領先的功率半導體專用封測工廠，包括模塊級、晶圓級、框架級、面板級多條封裝測試生產(chǎn)線。項目2021年11月正式開工；今年7月，先進功率封測基地成功實現(xiàn)主體封頂；12月22日，首顆中低壓SGT功率器件PDFN 3.3產(chǎn)品順利產(chǎn)出，良率99.5%，各項指標滿足產(chǎn)品規(guī)范，項目成功通線...詳情請點擊《華潤微電子2大項目迎來新進展，國產(chǎn)功率半導體好消息頻傳》
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國內半導體設備再突破據(jù)合肥日報報道，國內首個專用于量子芯片生產(chǎn)的MLLAS-100激光退火儀（簡稱“激光退火儀”）已研制成功。
該激光退火儀可解決量子芯片位數(shù)增加時的工藝不穩(wěn)定因素，像“手術刀”一樣精準剔除量子芯片中的“瑕疵”，增強量子芯片在向多比特擴展時的性能，從而進一步提升量子芯片的良品率。
報道稱，該設備由合肥本源量子完全自主研發(fā)，可達到百納米級超高定位精度，對量子芯片中單個量子比特進行局域激光退火，從而定向控制修飾量子比特的頻率參數(shù)，解決多比特擴展中比特頻率擁擠的問題，助力量子芯片向多位數(shù)擴展...詳情請點擊《突破！中國首個用于量子芯片生產(chǎn)的設備研制成功》
