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          長(zhǎng)光華芯擬投資10億元新建先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)項(xiàng)目,計(jì)劃2023年開工

          2022-12-28 13:23:00
          • 功率半導(dǎo)體 氮化鎵 化合物半導(dǎo)體

          長(zhǎng)光華芯擬投資10億元新建先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)項(xiàng)目,計(jì)劃2023年開工
          12月27日,長(zhǎng)光華芯發(fā)布公告稱,公司全資子公司蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司(以下簡(jiǎn)稱“研究院”)與蘇州科技城管理委員會(huì)簽訂項(xiàng)目投資合作協(xié)議,擬在太湖科學(xué)城新建先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)項(xiàng)目。
          根據(jù)公告,本項(xiàng)目計(jì)劃投資額10億元,計(jì)劃建設(shè)總建筑面積約46,293平方米的生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動(dòng)力站及配套設(shè)施,項(xiàng)目計(jì)劃2023年開工,2025年建成投產(chǎn),本項(xiàng)目預(yù)計(jì)年產(chǎn)值不低于6億元。該項(xiàng)目將依法依規(guī)得到蘇州科技城管理委員會(huì)及各級(jí)政府政策支持,將依法依規(guī)盡快完成辦理各項(xiàng)手續(xù)。
          先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)項(xiàng)目將形成年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力,具備氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等激光器和探測(cè)器芯片的產(chǎn)線建設(shè)及器件封裝能力,具備其他高功率半導(dǎo)體激光器芯片等功率芯片研發(fā)、封測(cè)能力(包括6-8寸器件封測(cè)生產(chǎn)線建設(shè))。
          研究院成立于2018年3月,注冊(cè)資本為5500萬元人民幣,經(jīng)營(yíng)范圍包括光電器件及系統(tǒng)的研發(fā)、開發(fā)、封裝、銷售;并提供相關(guān)技術(shù)咨詢及技術(shù)服務(wù)等。
          長(zhǎng)光華芯表示,本次投資的項(xiàng)目?jī)?nèi)容有利于提升公司的產(chǎn)品供應(yīng)能力,進(jìn)一步鞏固和擴(kuò)大公司的市場(chǎng)份額;有利于完善公司光電子產(chǎn)業(yè)鏈布局;有利于公司與地方政府實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)、互惠。公司擬進(jìn)行的項(xiàng)目建設(shè)將增加公司資本開支和現(xiàn)金支出,但對(duì)公司長(zhǎng)期的業(yè)務(wù)布局和經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)具有積極影響,符合公司整體戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃。本協(xié)議簽署不會(huì)導(dǎo)致公司主營(yíng)業(yè)務(wù)、經(jīng)營(yíng)范圍發(fā)生變化,對(duì)公司獨(dú)立性沒有影響。
          長(zhǎng)光華芯主要致力于高功率半導(dǎo)體激光器芯片、高效率激光雷達(dá)與3D傳感芯片、高速光通信半導(dǎo)體激光芯片及器件和系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)激光器泵浦、激光先進(jìn)制造裝備、生物醫(yī)學(xué)美容、高速光通信、機(jī)器視覺與傳感等。
          長(zhǎng)光華芯表示,公司已建成從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測(cè)試、光纖耦合等完整的工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線,是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光器芯片的公司。
          同日,長(zhǎng)光華芯在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司是綜合性激光半導(dǎo)體公司,有三大材料體系(砷化鎵、磷化銦、氮化鎵),邊發(fā)射和面發(fā)射兩種芯片結(jié)構(gòu),覆蓋的波段450nm-2000nm可見光和近紅外,以及特殊領(lǐng)域應(yīng)用的波段。主要產(chǎn)品高功率半導(dǎo)體激光芯片、VCSEL(激光雷達(dá)芯片)等,光通信芯片也是公司的一個(gè)品類,公司近期會(huì)發(fā)布該領(lǐng)域新產(chǎn)品。
          今年8月,長(zhǎng)光華芯與蘇州高新區(qū)建立蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院,該研究院擁有3英寸磷化銦和6英寸砷化鎵激光器的生產(chǎn)線。
          而氮化鎵激光器,是第三代半導(dǎo)體光電器件中極具技術(shù)難度和產(chǎn)業(yè)高度的關(guān)鍵產(chǎn)品,在激光顯示、材料加工、光刻直寫等諸多領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用優(yōu)勢(shì),目前在國(guó)內(nèi)還屬空白。
          據(jù)蘇州高新區(qū)發(fā)布消息,近期,蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院與中科院蘇州納米所共建的“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”剛剛揭牌。中科院蘇州納米所已在國(guó)內(nèi)率先研制出氮化鎵藍(lán)光和綠光激光器。
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