世界先進(jìn)今（22）日宣布，其領(lǐng)先的八英寸0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗(yàn)證，正式進(jìn)入量產(chǎn)，為特殊集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域首家量產(chǎn)此技術(shù)的公司。
世界先進(jìn)指出，2018年以Qromis基板技術(shù)（簡(jiǎn)稱QST TM）進(jìn)行八英寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程開發(fā)，于今年第一季開發(fā)完成，于第四季成功量產(chǎn)，世界先進(jìn)同時(shí)已和海內(nèi)外整合元件制造（IDM）廠及IC設(shè)計(jì)公司展開合作。
據(jù)悉，世界先進(jìn)0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V的元件選擇外，也提供內(nèi)建靜電保護(hù)元件（ESD），客戶得以更便利的進(jìn)行設(shè)計(jì)選擇。此外，該制程除具備更優(yōu)異的可靠性與信賴性，針對(duì)更高電壓（超過1000 V）的擴(kuò)充性，世界先進(jìn)也已經(jīng)與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產(chǎn)品需求。
