近日，美光科技尖端存儲器1β DRAM正式在日本廣島量產(chǎn)，但與此同時，為應(yīng)對市場需求，美光還宣布將存儲器產(chǎn)量減產(chǎn)約20%。
功效提升15%，1β DRAM正式量產(chǎn)
據(jù)日本共同社報道，美國半導(dǎo)體巨頭美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司”已于16日開始在該市的廣島工廠啟動最尖端DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的量產(chǎn)。
與上代產(chǎn)品相比，功率效率和存儲密度分別提升了約15%和約35%，主要面向智能手機出貨，明年還將在中國臺灣啟動量產(chǎn)。
據(jù)悉，美光日本廣島工廠是其在2013年收購爾必達(dá)(ELPIDA)時取得，并于2019年開始建設(shè)新廠房等，致力于尖端技術(shù)產(chǎn)品DRAM的生產(chǎn)。目前，該廠投產(chǎn)制程主要為1Z納米（占比50%以上）和1Y納米（占比約35%）。
今年11月初，美光宣布，正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴。
美光最近宣布，其廣島生產(chǎn)基地將獲得高達(dá)465億日元的政府補貼。美光將利用這筆贈款擴大其行業(yè)領(lǐng)先的制造能力，包括與1β DRAM內(nèi)存相關(guān)的能力。
市場需求疲弱，美光削減20%存儲器供應(yīng)
眾所周知，美光是全球知名的存儲器大廠，不過，由于消費性電子需求持續(xù)萎縮，對其營收造成沖擊，第三季營收約48.1億美元，環(huán)比下降23.3%。
為應(yīng)對市場需求下滑導(dǎo)致公司難以清理過剩庫存，美光16日表示，本季度DRAM和NAND的晶圓開工量將比2022年第四季削減20%，并計劃進一步削減資本支出。
此外，美光同時警告2023年需求展望近來趨疲，屆時DRAM的位元供給年增率將是負(fù)值，而NAND的位元供給只會有單位數(shù)成長率。此前，美光曾表示，會將今年度的資本支出減少30%。
展望2023年度，該公司預(yù)期DRAM的位元供應(yīng)增幅掉到負(fù)值，而NAND則落在個位數(shù)百分比區(qū)間。
美光說表示，近期而言，對2023年度的市場展望一直都很疲弱。因此美光認(rèn)為今年度以位元計的DRAM供應(yīng)量必須縮減，而NAND的位元供應(yīng)增幅必須大幅低于先前預(yù)估。
