IRLML6346TRPBF為國(guó)際整流器（IR，現(xiàn)隸屬于英飛凌）推出的N溝道MOSFET，采用SOT-23小型封裝，具有低導(dǎo)通電阻、驅(qū)動(dòng)電壓低等特點(diǎn)。該器件在便攜式設(shè)備、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
主要功能
低柵驅(qū)動(dòng)電壓：適合低壓邏輯電路直接驅(qū)動(dòng)，提升使用靈活性。
極低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：減小功率損耗，提升效率。
高脈沖電流承載能力：適用于高速開(kāi)關(guān)和大電流場(chǎng)合。
體積緊湊：SOT-23封裝便于在空間有限的PCB板上應(yīng)用。
典型應(yīng)用
電池供電設(shè)備中的電源開(kāi)關(guān)
直流-直流轉(zhuǎn)換器（DC-DC）
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
負(fù)載管理和高頻信號(hào)切換
LED照明驅(qū)動(dòng)
小家電及各類消費(fèi)電子產(chǎn)品
關(guān)鍵參數(shù)
表格
參數(shù)名稱 主要數(shù)值
類型 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝 SOT-23
漏極-源極耐壓 30V
柵極-源極電壓 ±20V
最大連續(xù)漏極電流 5.3A（@25℃）
最大脈沖漏極電流 21A
Rds(on)（Vgs=4.5V） 17 mΩ（典型）
Rds(on)（Vgs=2.5V） 26 mΩ（典型）
功耗 1.25W（@Ta=25℃）
工作溫度范圍 -55℃ 至 +150℃
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
導(dǎo)通損耗低，提升整體能效
驅(qū)動(dòng)要求低，易于與單片機(jī)、邏輯電路搭配
封裝小巧，便于高密度板卡設(shè)計(jì)
