雖然2023年半導(dǎo)體市況能見度低且不確定性高，但包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導(dǎo)體廠仍積極投資EUV產(chǎn)能，加上制程推進會帶動光罩層數(shù)增加，法人樂觀看好家登、帆宣、公準、意德士（等EUV概念股明年營運將優(yōu)于今年。
ASML日前說明EUV技術(shù)及曝光機技術(shù)藍圖，以目前主流的0.33數(shù)值孔徑（NA）來說，2021年晶圓代工5奈米制程每片晶圓平均光罩層約逾10層，但2023年制程進入3奈米之后，每片晶圓平均光罩層約將倍增達20層。
DRAM制程目前采用EUV技術(shù)完成約5層光罩層量產(chǎn)，但明年后將提升至8層光罩層，部分制程將會采用多層曝光（multi-patterning）而達每片晶圓10層光罩層。
過去幾年包括晶圓代工廠及DRAM廠擴大資本支出建置EUV產(chǎn)能，ASML統(tǒng)計至今年第一季已完成136臺EUV曝光機出貨，累計采用EUV曝光的晶圓已超過7,000萬片。
現(xiàn)階段最新曝光機NXE：3600D的系統(tǒng)妥善率（availability）已優(yōu)于前一代機型約達93％，并接近技術(shù)成熟的深紫外光（EUV）機型的95％。
在每平方公分30毫焦耳（mJ）的光源輻照能量情況下，NXE: 3600D每小時晶圓產(chǎn)出已達160片，較上一代機型提升18％。預(yù)計明年下半年推出的NXE: 3800E預(yù)計每小時晶圓產(chǎn)出可提升到195片以上，并有機會升級到接近220片，ASML亦說明將于2025年推出NXE：4000F新機型且每小時晶圓產(chǎn)出會大于220片，目標是再提升至240片。
雖然半導(dǎo)體市場進入庫存去化階段，但先進制程需求續(xù)強，臺積電及三星將會在明年擴大3奈米EUV產(chǎn)能，英特爾今年底亦量產(chǎn)首款采用EUV技術(shù)的4奈米Intel 4制程
