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    1SMB5933B-13

    2026-1-22 17:01:00
    • 1SMB5933B-13

    1SMB5933B-13_N/A導讀

    MOSFET有增強型和耗盡型兩大類,增強型和耗盡型每一類下面都有NMOS和PMOS。一般主板上使用多的是增強型MOS管,NMOS最多,一般多用在信號控制上,其次是PMOS,多用在電源開關等方面,耗盡型幾乎不用。增強型MOS管的英文為Enhancement MOS或者EMOS,耗盡型MOS管的英文為Depletion MOS或者DMOS。

    1SMB5933B-13_N/A

    1SMB5916B-13

    BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

    BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 。

    BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A 。

    BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A 。

    1SMB5933B-13_N/A

    DFN09106

    BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

    BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 。

    BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

    BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018 。

    1SMB5933B-13_N/A

    至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小,Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩(wěn)態(tài),DS間電壓也達最小,MOSFET完全開啟。

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