深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司0755-8254549813538016218QQ:531398920朱先生
數(shù)據列表 IRFB4110PbF
標準包裝 50
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 HEXFET?
規(guī)格
FET類型 N溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時） 120A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 4.5毫歐75A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 4V250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 210nC10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9620pF50V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 370W（Tc）
工作溫度 -55°C~175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
