SIS862DN-T1-GE3原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單
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產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: ?詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET, PowerPAK
系列: SIS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時(shí)間: 5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 60 S
高度: 1.04 mm
長度: 3.3 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 5 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
寬度: 3.3 mm
單位重量: 1 g
公司成立2008年，擁有15年供貨經(jīng)驗(yàn)，主營ALTERA XILINX
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