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G15N06K	文件：678.37 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?strong>G15N06；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G15N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：678.37 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	GOFORD 谷峰半導體	GOFORD
G15N06K	文件：678.37 Kbytes Page：6 Pages	絲印：G15N06；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G15N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：678.37 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	GOFORD 谷峰半導體	GOFORD

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