N-Channel Power Trench MOSFET

文件：239.46 Kbytes 頁數：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel Enhancement MOSFET

文件：2.091719 Mbytes 頁數：5 Pages

KEXIN

科信電子

N-Channel Power Trench? MOSFET 150 V, 2 A, 236 m廓

文件：232.11 Kbytes 頁數：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 150 V, 1.2 A, 845 m廓

文件：251.94 Kbytes 頁數：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，100V，5.6A，160mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導體先進的 Power Trench?工藝生產，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關性能而定制的。 ? RDS(on) = 121 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V, ID = 2.8 A\n? RDS(on) = 156 mΩ (典型值)@ VGS = 5 V, ID = 1.8 A\n? 快速開關速度\n?低柵極電荷（典型值2.9nC）\n? 高性能溝道技術可實現極低的RDS(on)\n? 高功率和高電流處理能力\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體

N 溝道，Power Trench? MOSFET，100V，3.7A，120mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關PWM控制器來改進DC/DC轉換器整體功效而設計的。 比其他具有可比RDS(ON)規(guī)格的MOSFET相比，這些MOSFET擁有更快的開關速度和更低的柵極電荷。 因此，這是一款更易于驅動且更安全（在高頻段也是如此）的MOSFET，可實現具有更高總效率的DC/DC電源設計。 ?3.7 A, 100 V\n?RDS(on) = 120 mΩ@ VGS = 10 V\n?RDS(on) = 130 mΩ @ VGS = 6 V\n?快速開關速度\n?低柵極電荷（14nC典型值）\n?高性能溝道技術可實現極低的RDS(on)\n?采用廣泛使用的表面貼裝封裝，具有高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導體

Automotive Rectifiers

FCI

富加宜

包裝：盒 類別：電纜，電線 - 管理 配線箱，保護 描述：WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS

3M

包裝：盒 類別：電纜，電線 - 管理 配線箱，保護 描述：WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS

3M

包裝：散裝 類別：電纜，電線 - 管理 配線箱，保護 描述：WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS

3M