N 溝道 PowerTrench? MOSFET 150V，2A，236mΩ

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級(jí)PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)rDS(on)、開(kāi)關(guān)性能以及堅(jiān)固性而優(yōu)化。 ?VGS = 10 V，ID = 2 A時(shí)，最大rDS(on) = 236 mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 1.7 A時(shí)，最大rDS(on) = 329 mΩ\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?廣泛使用的表面貼裝封裝中的高功率和高電流處理能力。\n?快速開(kāi)關(guān)速度\n?100%經(jīng)過(guò)UIL測(cè)試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET 150 V, 2 A, 236 m廓

文件：232.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，150V，2A，228mΩ

這一 N 溝道 MOSFET 器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級(jí) PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝專(zhuān)為實(shí)現(xiàn) rDS(on)、開(kāi)關(guān)性能以及堅(jiān)固性而優(yōu)化。 ? 最大 rDS(on) = 228 mΩ（VGS = 10 V、ID = 2 A）\n? 最大 rDS(on) = 280 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 1.8 A）\n? 高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?高功率、高處理能力、采用廣泛使用的表面貼裝封裝\n?快速開(kāi)關(guān)速度\n? 100% 經(jīng)過(guò) UIL 測(cè)試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET

文件：163.39 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體