100V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(O

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FAIRCHILD

仙童半導體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/nzre/marking.html">NZrE；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Application Load/Power Switching Interfacing Switching Logic Level Shift

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TECHPUBLIC

臺舟電子

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/3612/marking.html">3612；Package：SOT-223；100V N-Channel PowerTrench??MOSFET

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ONSEMI

安森美半導體

N 溝道，Power Trench? MOSFET，100V，3.7A，120mΩ

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統開關PWM控制器來改進DC/DC轉換器整體功效而設計的。 比其他具有可比RDS(ON)規(guī)格的MOSFET相比，這些MOSFET擁有更快的開關速度和更低的柵極電荷。 因此，這是一款更易于驅動且更安全（在高頻段也是如此）的MOSFET，可實現具有更高總效率的DC/DC電源設計。 ?3.7 A, 100 V\n?RDS(on) = 120 mΩ@ VGS = 10 V\n?RDS(on) = 130 mΩ @ VGS = 6 V\n?快速開關速度\n?低柵極電荷（14nC典型值）\n?高性能溝道技術可實現極低的RDS(on)\n?采用廣泛使用的表面貼裝封裝，具有高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導體