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FDMS1D5N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，PowerTrench? SyncFETTM，30V，218A，1.15mΩ 該 N 溝道 MOSFET 使用同步或傳統(tǒng)的開關(guān)PWM控制器，專為提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的整體效率并最大限度降低其開關(guān)節(jié)點振鈴噪聲而設計。已針對低柵極電荷和極低 rDS(on) 進行了優(yōu)化。 ?最大 rDS(on) = 1.15 mΩ（VGS = 10 V、ID = 40 A）\n?最大 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 37 A）\n?先進的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合，實現(xiàn)了低 RDS(on) 和高效率\n?MSL1耐用封裝設計\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合 RoHS 標準;	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
FDMS1D5N03	文件：584.03 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：584.03 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
FDMS2572	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	FAIRCHILD/仙童上傳：深圳市澳億芯電子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDMS2672	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-56	FAIRCHILD 仙童半導體上傳：深圳市創(chuàng)博偉業(yè)科技有限公司	FAIRCHILD
FDMS3669S	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-8	ON 上傳：深圳市科芯源微電子有限公司	ON

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更多FDMS1D5N03供應商更新時間2026-1-21 19:20:00