N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 20A, 77mohm

文件：508.66 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，UltraFET Trench? MOSFET，200V，20A，77mΩ

UItraFET器件結(jié)合了各種特性，可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供基準(zhǔn)效率。 由于針對rDS(on)、低ESR、低總電荷和米勒柵極電荷進(jìn)行了優(yōu)化，這些器件是高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇。 ?VGS = 10V，ID = 3.7A時，最大rDS(on) = 77mΩ\n?VGS = 6V，ID = 3.5A時，最大rDS(on) = 88mΩ\n?低米勒電荷\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 20A, 77m

文件：319.66 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel UltraFET Trench? MOSFET 200V, 3.9A, 70m?

文件：412.06 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel MOSFET

文件：1.63355 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

KEXIN

科信電子

N-Channel UltraFET Trench? MOSFET 200V, 3.9A, 70mΩ

Features Max rDS(on) = 70mΩ at VGS = 10V, ID = 3.9A Max rDS(on) = 80mΩ at VGS = 6V, ID = 3.5A Fast switching speed High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS compliant General Description This single N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s

文件：455.11 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體