N-Channel UltraFET Trench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel UltraFET Trench? MOSFET 150V, 27A, 47m?

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FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，UltraFET Trench? MOSFET，150V，27A，47mΩ

UltraFET器件結合了各種特性，可在功率轉換應用中提供基準效率。 由于針對rDS(on)、低ESR、低總電荷和米勒柵極電荷進行了優(yōu)化，這些器件是高頻DC-DC轉換器的理想選擇。 ?最大rDS(on) = 47mΩ（VGS = 10V, ID = 4.5A）\n?VGS = 10 V時，Typ Qg = 31nC\n?低密勒電荷\n?優(yōu)化高頻率時的效率\n?UIS 能力（單脈沖和重復脈沖）\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel Enhancement MOSFET

Application o Load switch ? High Frequency Switching and Synchronous Rectification o Active Clamp in Intermediate ? DC/DC Power Supplies

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TECHPUBLIC

臺舟電子

N-Channel UltraFET Trench? MOSFET 150V, 27A, 47m?

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FAIRCHILD

仙童半導體