不對(duì)稱雙 N 溝道 PowerTrench? 功率級(jí) MOSFET 30V

該器件在雙PQFN封裝中包括兩個(gè)專用N溝道MOSFET。 該開關(guān)節(jié)點(diǎn)通過(guò)內(nèi)部連接，能夠?yàn)橥浇祲恨D(zhuǎn)換器提供簡(jiǎn)單的布局和布線。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供優(yōu)化的功效。 ? Q1： N 溝道 \n?VGS = 10 V，ID = 13 A時(shí)，最大rDS(on) = 10mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 10 A時(shí)，最大rDS(on) = 14.5mΩQ2： N 溝道 \n?最大值 rDS(on) = 5 mΩ（VGS = 10 V, ID = 18 A 時(shí)）\n?最大值 rDS(on) = 5.2 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 17 A 時(shí)）;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

PowerTrench? Power Stage

文件：587.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：16 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件：160 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

GTM

勤益投資控股

N P N E P I T A X I A L P L A N A R T R A N S I S T O R

文件：161.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

ETL

亞歷電子

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件：158.53 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

GTM

勤益投資控股