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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SJ553S	文件：57.14 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.028? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：57.14 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ553S	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET ? Low on-resistance RDS(on)= 0.028? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：96.13 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ553STL-E	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET ? Low on-resistance RDS(on)= 0.028? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：96.13 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ554	文件：90.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 0.028 ? typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：90.07 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ554	文件：55.04 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.028? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：55.04 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ554-E	文件：90.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 0.028 ? typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：90.07 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ555	文件：90.03 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.017 ?typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：90.03 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ555	文件：54.29 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.017? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：54.29 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ555-E	文件：90.03 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.017 ?typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：90.03 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ557	文件：62.77 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The 2SJ557 is a switching device which can be driven directly by a 4 V power source. The 2SJ557 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES ? Can be driven 文件：62.77 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	NEC 瑞薩	NEC

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詳細參數(shù)

型號：
2SJ55
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	2SJ557	RENESAS/瑞薩	25+	SOT-23	20300	RENESAS/瑞薩原裝特價2SJ557即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SJ557	RENESAS/瑞薩	20+	SOT-23	120000	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	2SJ557	RENESAS/瑞薩	2025+	SOT-23	5000	原裝進口價格優(yōu) 請找坤融電子!	詢價
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深圳市豪邁興電子有限公司	2SJ557	NEC	24+		4326	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!	詢價
深圳市弘為電子有限公司	2SJ557	NEC	24+	SOT-23	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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深圳市億智騰科技有限公司	2SJ557	NEC	24+		6540	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價
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更多2SJ55供應商更新時間2026-1-20 20:45:00

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