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2SJ550	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 0.075? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：56.87 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ550	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 0.075 ? typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：95.64 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ550L	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 0.075? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：56.87 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ550L	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 0.075 ? typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：95.64 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ550L-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 0.075 ? typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：95.64 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ550S	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 0.075? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：56.87 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ550S	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 0.075 ? typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：95.64 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ550STL-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 0.075 ? typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：95.64 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ551	文件：55.76 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 0.050? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：55.76 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ551	文件：95.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 0.050 ? typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：95.41 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SJ55
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多2SJ55供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 18:46:00

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