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IMZA120R030M1H	文件：1.55945 Mbytes Page：17 Pages	絲印：12M1H030；Package：PG-TO247-4-STD-NT3.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology Features ? VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C ? IDDC = 70 A at Tc = 25°C ? RDS(on) = 30 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C ? Very low switching losses ? Short circuit withstand time 3 μs ? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V ? Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can 文件：1.55945 Mbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IMBG120R030M1H	文件：1.26252 Mbytes Page：17 Pages	絲?。?strong>12M1H030；Package：PG-TO263-7；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology 文件：1.26252 Mbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IMW120R030M1H	文件：1.18024 Mbytes Page：17 Pages	絲?。?strong>12M1H030；Package：PG-TO247-3；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.18024 Mbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IMZ120R030M1H	文件：1.27998 Mbytes Page：17 Pages	絲?。?strong>12M1H030；Package：PG-TO247-4；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件：1.27998 Mbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

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更多12M1H030供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 14:01:00