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首頁 >VN06>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VN0610L	文件：202.12 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors Features ● Zener Diode Input Protected ● Low On-Resistance: 3 Ω ● Ultralow Threshold: 1.2 V ● Low Input Capacitance: 38 pF ● Low Input and Output Leakage Benefits ● Extra ESD Protection ● Low Offset Voltage ● Low-Voltage Operation ● High-Speed, Easily Driven ● Low Error Voltage Appli 文件：202.12 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TEMIC	TEMIC
VN0610LL	文件：132.51 Kbytes Page：4 Pages	FET Transistor FET Transistor N?Channel — Enhancement 文件：132.51 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
VN0610LL	文件：41.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs FEATURES ● Low On-Resistance: 2.5 Ω ● Low Threshold: 文件：41.82 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VN0610LL	文件：24.51 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors FEATURES ?Low rDS(on) APPLICATIONS ?Switching ?Amplification 文件：24.51 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC
VN0635	文件：31.63 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：31.63 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VN0640	文件：31.63 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：31.63 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VN0645	文件：30.52 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology The VN0650 is NOT recommended for new designs. Please use VN2450 instead. These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power h 文件：30.52 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VN0645N2	文件：30.52 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology The VN0650 is NOT recommended for new designs. Please use VN2450 instead. These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power h 文件：30.52 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VN0650	文件：30.52 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology The VN0650 is NOT recommended for new designs. Please use VN2450 instead. These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power h 文件：30.52 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VN0650N3	文件：30.52 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology The VN0650 is NOT recommended for new designs. Please use VN2450 instead. These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power h 文件：30.52 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VN06
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
包裝：
管件
開關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
1
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
高端
輸出類型：
N 通道
接口：
開/關(guān)
電壓 - 負(fù)載：
5.5V ~ 26V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
1.9A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
180 毫歐
輸入類型：
非反相
特性：
狀態(tài)標(biāo)志
故障保護(hù)：
開路負(fù)載檢測(cè)，超溫
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
供應(yīng)商器件封裝：
5-PENTAWATT
封裝/外殼：
Pentawatt-5（垂直，彎曲和錯(cuò)列引線）
描述：
IC PWR DRVR N-CH 1

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更多VN06供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 16:12:00

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