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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VN06	文件：191.48 Kbytes Page：11 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY 文件：191.48 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VN06	文件：297.16 Kbytes Page：17 Pages	ISO high side smart power solid state relay 文件：297.16 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VN0605T	文件：41.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs FEATURES ● Low On-Resistance: 2.5 Ω ● Low Threshold: 文件：41.82 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VN0605T	文件：23.39 Kbytes Page：2 Pages	VN0605T N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor FEATURES ? Low rDS(on) 文件：23.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC
VN0606	文件：434.02 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs General Description This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and 文件：434.02 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SUTEX	SUTEX
VN0606	文件：384.34 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and 文件：384.34 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SUTEX	SUTEX
VN0606L	文件：434.02 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs General Description This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and 文件：434.02 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SUTEX	SUTEX
VN0606L-G	文件：384.34 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and 文件：384.34 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SUTEX	SUTEX
VN0610	文件：24.51 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors FEATURES ?Low rDS(on) APPLICATIONS ?Switching ?Amplification 文件：24.51 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC
VN0610	文件：202.12 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors Features ● Zener Diode Input Protected ● Low On-Resistance: 3 Ω ● Ultralow Threshold: 1.2 V ● Low Input Capacitance: 38 pF ● Low Input and Output Leakage Benefits ● Extra ESD Protection ● Low Offset Voltage ● Low-Voltage Operation ● High-Speed, Easily Driven ● Low Error Voltage Appli 文件：202.12 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TEMIC	TEMIC

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VN06
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
包裝：
管件
開關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
1
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
高端
輸出類型：
N 通道
接口：
開/關(guān)
電壓 - 負(fù)載：
5.5V ~ 26V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
1.9A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
180 毫歐
輸入類型：
非反相
特性：
狀態(tài)標(biāo)志
故障保護(hù)：
開路負(fù)載檢測，超溫
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
供應(yīng)商器件封裝：
5-PENTAWATT
封裝/外殼：
Pentawatt-5（垂直，彎曲和錯(cuò)列引線）
描述：
IC PWR DRVR N-CH 1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多VN06供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 16:12:00

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