Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Trench MOS Schottky technology

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兩線制 MR 環(huán)形磁微距傳感器集成電路。扁平 TO-92 樣式封裝。增強(qiáng)靈敏度，典型值為 ±7 G。數(shù)字拉電流輸出

VF401 是一款高性能的數(shù)字式雙線 MR（磁阻）傳感器，采用小型扁平式的 TO-92 塑料封裝，帶有電流輸出端口，專為細(xì)間距環(huán)形磁鐵的感測(cè)而設(shè)計(jì)。\n 獨(dú)特的 VF401 橋布局（專利號(hào) 6297628 ）經(jīng)過優(yōu)化，允許目標(biāo)和傳感器之間存在較大氣隙，減小傳感器信號(hào)或精度的損失。\n VF401 對(duì)跑偏（傳感器位置相對(duì)于環(huán)形磁鐵內(nèi)徑或外徑的漂移）的靈敏度降低。而且它對(duì)傾斜誤差（與信號(hào)元件和環(huán)形磁鐵平行位置的偏差）的敏感度也降低，允許誤差高達(dá) 10°。而典型的環(huán)形磁鐵傳感器僅為 2°至 3°，并且受扭轉(zhuǎn)（電橋槽相對(duì)于磁極轉(zhuǎn)換與理想角度位置的偏差）的影響更小。 ·Robust design operating from -40 °C to 150 °C [-40 °F to 302 °F] can withstand short durations up to 175 °C [347 °F], allowing use in potential applications with extreme temperature requirements.\n·Not damaged by reverse polarity voltages when customer-supplied sense resistor is installed, enhancin;

Honeywell

霍尼韋爾

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual High Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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