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          首頁 >VB20120C-E3>規(guī)格書列表

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          VB20120C-E3SLASH8W

          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

          文件:163.15 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          VISHAYVishay Siliconix

          威世威世科技公司

          VB20120C-E3/4W

          Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          VB20120C-E3/8W

          Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          詳細(xì)參數(shù)

          • 型號(hào):

            VB20120C-E3

          • 功能描述:

            肖特基二極管與整流器 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS

          • RoHS:

          • 制造商:

            Skyworks Solutions, Inc.

          • 產(chǎn)品:

            Schottky Diodes

          • 峰值反向電壓:

            2 V

          • 正向連續(xù)電流:

            50 mA

          • 配置:

            Crossover Quad

          • 正向電壓下降:

            370 mV

          • 最大功率耗散:

            75 mW

          • 工作溫度范圍:

            - 65 C to + 150 C

          • 安裝風(fēng)格:

            SMD/SMT

          • 封裝/箱體:

            SOT-143

          • 封裝:

            Reel

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
          VISHAY/威世
          2447
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          代理渠道/只做原裝/可含稅
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          25+
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          更多VB20120C-E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-18 15:01:00
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              • <tfoot id="5lvfi"><menuitem id="5lvfi"></menuitem></tfoot>
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