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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VB20100C-E3	文件：167.08 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.08 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20100C-E3	文件：315.37 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：315.37 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
VB20100C-E3/4W	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20100C-E3/8W	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20100C-E3SLASH4W	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20100C-E3SLASH8W	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20100S	文件：168.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? AEC-Q101 qualified ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 文件：168.62 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20100S-E3	文件：157.77 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JES 文件：157.77 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20100S-E3	文件：215.28 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：215.28 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20100S-E3	文件：320.66 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：320.66 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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技術(shù)參數(shù)

端口數(shù)量：
1
頻率-最大值：
4GHz
射頻系列：
BNC
阻抗：
50Ω

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	VB20100S-E3/8W	Vishay/GeneralSemiconduc	24+	TO-263	1600		詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	VB20100C-E3/8W	VISHAY	12+	TO-263	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	VB24SMBU-5	FT/富士通	2016+	DIP	6000	只做原裝,假一罰十,專營(yíng)繼電器!	詢價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	VB2000-AQ	Bridge	16+	QFP	890	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	VB20100C-E3/8W	VISHAY	17+	TO-263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	VB2405S-1W			SIP	1000	原裝長(zhǎng)期供貨!	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	VB244	TI	25+	SOP	4500	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	VB2/8/1/12	Block	24+	NA	2131	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	VB245	TI	25+	TSOP20	3629	原裝優(yōu)勢(shì)!房間現(xiàn)貨!歡迎來電!	詢價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	VB2-RSC577-0.2M/2RKC577-0.5M	TURCK	新		2	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)

更多VB2供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:00:00

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