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|---|---|---|---|---|
Low Capacitance Bi-directional ESD DIODE Features | o Low operating voltage: 1V ? Ultra low capacitance: 0.2pF (Typ) ? Ultra low leakage: nA level o Low clamping voltage IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ￡15kV Contact discharge: +12kV/ —~IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —~IEC61000-4-5 (Lightning) 4A (8/20ps) o 2 文件：1.65499 Mbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | TECHPUBLIC 臺(tái)舟電子 | TECHPUBLIC | ||
絲印：1101；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲印：1101；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ps1101/marking.html">PS1101；Package：TSSOP；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ps1101/marking.html">PS1101；Package：TSSOP；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ps1101/marking.html">PS1101；Package：TSSOP；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
Low Capacitance Bi-directional ESD DIODE Features o Low operating voltage: 5V ? Ultra low capacitance: 0.08pF(typ) Ultra low leakage: nA level o Low clamping voltage o —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +12kV/ Contact discharge: +8kV —IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) ~IEC61000-4-5 (Lightning) 2.5A (8/20 文件：1.72357 Mbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | TECHPUBLIC 臺(tái)舟電子 | TECHPUBLIC | ||
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages | TI 德州儀器 | TI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
180V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號(hào)：
3DG182D,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
NO
- vtest：
180
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.625
技術(shù)參數(shù)
- 電氣隔離（Vrms）：
4000
- 通道數(shù)：
2
- 測(cè)溫范圍（℃）：
-200~+850
- 每通道速率（SPS）：
0.75
- 精度（℃）：
0.02%±0.1
- 工作環(huán)境（℃）：
-40~+85
- 通信接口：
IIC
- 封裝：
DIP16
- 產(chǎn)品尺寸（mm）：
24.98×16.90×8.10
- 樣品購(gòu)買：
購(gòu)買
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
正納電子熱銷 |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品,做服務(wù)型企業(yè) |
詢價(jià) | ||
80000 |
詢價(jià) | ||||||
TI |
24+ |
{{sibling.Package}} |
10000 |
詢價(jià) | |||
TI |
23+ |
QFN16 |
1 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
23+ |
NA |
6800 |
原裝正品,力挺實(shí)單 |
詢價(jià) | |||
TI |
24+ |
QFN16 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
24+ |
6000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價(jià)出售,實(shí)單可談 |
詢價(jià) | ||||
TI |
24+ |
QFN16 |
5000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價(jià) | ||
TI |
24+ |
QFN16 |
25836 |
新到現(xiàn)貨，只做全新原裝正品 |
詢價(jià) | ||
TI(德州儀器) |
25+ |
封裝 |
500000 |
源自原廠成本,高價(jià)回收工廠呆滯 |
詢價(jià) |
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