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首頁 >TPS>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
TPS1120D	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1120/marking.html">1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	TI 德州儀器	TI
TPS1120D.A	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	絲印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	TI 德州儀器	TI
TPS1120D.B	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	絲印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	TI 德州儀器	TI
TPS1120DR	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1120/marking.html">1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	TI 德州儀器	TI
TPS1120DR.A	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1120/marking.html">1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	TI 德州儀器	TI
TPS1120DR.A	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1120/marking.html">1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	TI 德州儀器	TI
TPS1120DR.B	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1120/marking.html">1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	TI 德州儀器	TI
TPS1120DR.B	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	絲印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	TI 德州儀器	TI
TPS1120Y	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	TI 德州儀器	TI
TPS12000QDGXRQ1	文件：1.79799 Mbytes Page：38 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1200/marking.html">1200；Package：VSSOP；TPS1200-Q1 45V, Automotive Low IQ Smart High Side Driver With Short-Circuit Protection and Diagnostics 1 Features ? AEC-Q100 automotive qualified for automotive applications – Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range ? Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functional safety system design ? 3.5V to 40V input range (45V absolute maxi 文件：1.79799 Mbytes 頁數(shù)：38 Pages	TI 德州儀器	TI

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晶體管資料

型號(hào)：
TPS100
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
封裝形式：
極限工作電壓：
180V
最大電流允許值：
0.5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
可代換的型號(hào)：
3DG182D,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
NO
vtest：
180
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.625

技術(shù)參數(shù)

電氣隔離（Vrms）：
4000
通道數(shù)：
2
測(cè)溫范圍（℃）：
-200~+850
每通道速率（SPS）：
0.75
精度（℃）：
0.02%±0.1
工作環(huán)境（℃）：
-40~+85
通信接口：
IIC
封裝：
DIP16
產(chǎn)品尺寸（mm）：
24.98×16.90×8.10
樣品購買：
購買

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市正納電子有限公司	TPS	正納電子熱銷	23+	NA	26094	10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品,做服務(wù)型企業(yè)	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	TPS				80000		詢價(jià)
深圳市邁銳達(dá)科技有限公司	TPS	TI	24+	{{sibling.Package}}	10000		詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	TPS	TI	23+	QFN16	1	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)
深圳市禾興威科技有限公司	TPS		23+	NA	6800	原裝正品,力挺實(shí)單	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	TPS	TI	24+	QFN16	5000	全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售	詢價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	TPS		24+		6000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價(jià)出售,實(shí)單可談	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	TPS	TI	24+	QFN16	5000	十年沉淀唯有原裝	詢價(jià)
深圳市天芯威科技有限公司	TPS	TI	24+	QFN16	25836	新到現(xiàn)貨，只做全新原裝正品	詢價(jià)
萬三科技(深圳)有限公司	TPS	TI(德州儀器)	25+	封裝	500000	源自原廠成本,高價(jià)回收工廠呆滯	詢價(jià)

更多TPS供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 18:15:00

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