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    TPS1101DR

    絲印:1101;Package:SOIC;SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

    Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

    文件:279.47 Kbytes 頁數(shù):15 Pages

    TI

    德州儀器

    TPS1101DR

    SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

    文件:495.85 Kbytes 頁數(shù):13 Pages

    TI

    德州儀器

    TPS1101DR.A

    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1101/marking.html">1101;Package:SOIC;SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

    Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c

    文件:279.47 Kbytes 頁數(shù):15 Pages

    TI

    德州儀器

    TPS1101DRG4

    P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

    文件:899.06 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    VBSEMI

    微碧半導(dǎo)體

    TPS1101DRG4

    SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

    文件:495.85 Kbytes 頁數(shù):13 Pages

    TI

    德州儀器

    詳細參數(shù)

    • 型號:

      TPS1101DR

    • 功能描述:

      MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

    • RoHS:

    • 制造商:

      STMicroelectronics

    • 晶體管極性:

      N-Channel

    • 汲極/源極擊穿電壓:

      650 V

    • 閘/源擊穿電壓:

      25 V

    • 漏極連續(xù)電流:

      130 A 電阻汲極/源極

    • RDS(導(dǎo)通):

      0.014 Ohms

    • 配置:

      Single

    • 安裝風(fēng)格:

      Through Hole

    • 封裝/箱體:

      Max247

    • 封裝:

      Tube

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    更多TPS1101DR供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 16:00:00

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