| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：602.94 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI | ||
N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：613.64 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI | ||
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max 20V 2.5A 50 @ VGS=4.5V 76 @ VGS=2.5V PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max -20V -2A 106 @ VGS=-4.5V 198 @ VGS=-2.5V 文件：125.71 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | SAMHOP 三合微科 | SAMHOP | ||
Dual P -Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-26 package. 文件：608.37 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | SAMHOP 三合微科 | SAMHOP | ||
Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? Load Switch for Portable Applications ? Battery Switch for Portable Devices ? Computers - Bus Switch - Load Switch 文件：524.93 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features: * Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) RDS(ON) 文件：453.69 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | WEITRON | WEITRON | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS (ON). ● Rugged and reliable. ● TSOP6 package. 文件：615.06 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | SAMHOP 三合微科 | SAMHOP | ||
Super high dense cell design for low RDS(ON). FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● Suface Mount Package. 文件：171.79 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | SAMHOP 三合微科 | SAMHOP | ||
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：521.76 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI | ||
N - CHANNEL 60V - 0.180ohm - 2A SO-8 STripFET POWER MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size? strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark 文件：70.87 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率開關(guān) （PSW）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
3DK109C,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍數(shù)：
β=20-50
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
15
- wtest：
125
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
STS
- 制造商：
3M
- 類別：
電纜，電線 - 管理 > 標(biāo)記物
- 系列：
STS
- 包裝：
盒
- 類型：
導(dǎo)線標(biāo)記
- 尺寸：
0.75" 寬 x 1.40" 長（19.1mm x 35.6mm）
- 電纜直徑：
0.090" ~ 0.315"（2.29mm ~ 8.00mm）
- 圖例：
空白
- 顏色：
白色
- 材料：
乙烯基
- 描述：
WIRE MARKER 19.1MM X 35.6MM WHT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
SOP8 |
6232 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強(qiáng)勢庫存! |
詢價 | ||
ST |
24+ |
07+ |
2 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
SOP-8 |
10000 |
詢價 | |||
ST |
08+ |
SOP-8 |
2500 |
原裝正品現(xiàn)貨,可開發(fā)票,假一賠十 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
三極smd |
4900 |
本站現(xiàn)庫存 |
詢價 | ||
ST |
SOP |
15000 |
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談 |
詢價 | |||
ST |
10+ |
SOP-8 |
7800 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
AMCC |
25+ |
BGA |
2317 |
品牌專業(yè)分銷商,可以零售 |
詢價 | ||
原裝ST |
20+ |
SOP8 |
2960 |
誠信交易大量庫存現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
SOP8 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 |
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