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|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-23 package. 文件：603.84 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | SAMHOP 三合微科 | SAMHOP | ||
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-23 package. 文件：623.5 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | SAMHOP 三合微科 | SAMHOP | ||
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested APPLICATIONS ? For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：500.49 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | VBSEMI 微碧半導體 | VBSEMI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/25g3l/marking.html">25G3L；Package：SO-8；N-channel 30 V, 0.0025 Ω, 22 A, SO-8 STripFET? VI DeepGATE? Power MOSFET Features ■ RDS(on) * Qg industry benchmark ■ Extremely low on-resistance RDS(on) ■ High avalanche ruggedness ■ Low gate drive power losses ■ Very low switching gate charge Application ■ Switching applications Description This product utilizes the 6th generation of design rules of ST’ 文件：257.26 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導體 | STMICROELECTRONICS | ||
N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 25A SO-8 STripFET??III MOSFET FOR DC-DC CONVERSION Description This device utilizes the advanced design rules of STs proprietary STripFET? technology. The innovative process coupled with unique metallization techniques makes it possible to produce the most advanced low voltage Power MOSFET in an SO-8 package. The device is therefore suitable for 文件：290.34 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導體 | STMICROELECTRONICS | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available ? TrenchFET? Power MOSFET APPLICATIONS ? Load Switch 文件：456.71 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | VBSEMI 微碧半導體 | VBSEMI | ||
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Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max 20V 2.5A 80 @ VGS=4.5V 110 @ VGS=2.5V PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max -20V -2A 130 @ VGS=-4.5V 190 @ VGS=-2.5V 文件：926.05 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages | SAMHOP 三合微科 | SAMHOP |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率開關(guān) （PSW）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
3DK109C,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍數(shù)：
β=20-50
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
15
- wtest：
125
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
STS
- 制造商：
3M
- 類別：
電纜，電線 - 管理 > 標記物
- 系列：
STS
- 包裝：
盒
- 類型：
導線標記
- 尺寸：
0.75" 寬 x 1.40" 長（19.1mm x 35.6mm）
- 電纜直徑：
0.090" ~ 0.315"（2.29mm ~ 8.00mm）
- 圖例：
空白
- 顏色：
白色
- 材料：
乙烯基
- 描述：
WIRE MARKER 19.1MM X 35.6MM WHT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
10+ |
SOP-8 |
7800 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
SO-8 |
59940 |
詢價 | |||
原裝ST |
20+ |
SOP8 |
2960 |
誠信交易大量庫存現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
AMCC |
25+ |
BGA |
2317 |
品牌專業(yè)分銷商,可以零售 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
SOP-8 |
10000 |
詢價 | |||
ST/意法半導體 |
24+ |
8-SOIC |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
25+ |
SO-8 |
10000 |
原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
08+ |
SOP-8 |
2500 |
原裝正品現(xiàn)貨,可開發(fā)票,假一賠十 |
詢價 | ||
SENSIRION |
25+ |
DFN6 |
194 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
ST |
24+ |
SOP8 |
6232 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 |
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