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PHP11N06LT	文件：114.92 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting pa 文件：114.92 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
PHP11N06LT	文件：371.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.13Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.43 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHT11N06	文件：75.34 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESDprotection. It is intended for use in DC 文件：75.34 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI
PHT11N06	文件：69.16 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESDprotection. It is intended for use in DC-DC converters and general 文件：69.16 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	PHI PHI	PHI
PHT11N06LT	文件：69.16 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESDprotection. It is intended for use in DC-DC converters and general 文件：69.16 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	PHI PHI	PHI

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