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NDB4050L	文件：68.22 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching pe 文件：68.22 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
NDB4050L	文件：344.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：344.57 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
NDB4050L	文件：1.32123 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.32123 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
NDB4050L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多NDB4050L供應(yīng)商更新時間2026-1-22 23:00:00