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MTP20N20E	文件：203.09 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 20 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.16 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low v 文件：203.09 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTP20N20E	文件：304.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：304.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MTP20N20E	文件：248.63 Kbytes Page：8 Pages	N??hannel Power MOSFET 文件：248.63 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MTP20N20E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N?Channel Power MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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深圳市利加科技有限公司	MTP20N20E	ON	16+	TO-220	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MTP20N20E	VBSEMI/臺(tái)灣微碧	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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更多MTP20N20E供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 19:09:00