TMOS POWER FET 12 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM

Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

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MOTOROLA

摩托羅拉

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

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MOTOROLA

摩托羅拉

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

無錫固電

Power Field Effect Transistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體公司

Power Field Effect Transistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體公司

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P??hannel TO??20

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ONSEMI

安森美半導體

功率 MOSFET，12 A，100 V，P 溝道，TO-220

此功率 MOSFET 適用于中壓、高速電源開關應用，如開關穩(wěn)壓器、轉換器、電磁和繼電器驅(qū)動器。 ? Silicon Gate for Fast Switching SpeedsSwitching Times Specified at 100°C\n? Designer's DataIDSS, VDS(on), VGS(th) and SOA Specified at Elevated Temperature\n? RuggedSOA is Power Dissipation Limited\n? Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads\n? Pb-Free Package is Available;

ONSEMI

安森美半導體

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P??hannel TO??20

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ONSEMI

安森美半導體

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導體