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K4E641612C-TC45	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：884.02 Kbytes 頁數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E641612C-TC50	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：884.02 Kbytes 頁數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E641612C-TC60	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：884.02 Kbytes 頁數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E641612C-TL45	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：884.02 Kbytes 頁數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E641612C-TL50	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：884.02 Kbytes 頁數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E641612C-TL60	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：884.02 Kbytes 頁數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E641612C	文件：300 bytes Page：1 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out	Samsung 三星	Samsung

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
K4E641612C
制造商：
SAMSUNG
制造商全稱：
Samsung semiconductor
功能描述：
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	K4E641612C-TC60	SAMSUNG	15+		11560	全新原裝,現(xiàn)貨庫存,長期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	K4E641612C-TC60	SAMSUNG	TSOP50	0202+	667	全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	K4E641612C-GL60T00	SAM	24+	BGA	1971		詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	K4E641612C-GL60T00	SAM	23+	BGA	7000	絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請(qǐng)放心訂購!	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	K4E641612C-TC50	SAMSUNG	23+	TSOP	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
上海專毅電子科技有限公司	K4E641612C-TC60	SAMSUNG	17+	TSOP50	9988	只做原裝進(jìn)口,自己庫存	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	K4E641612C-GL60	SAMSUNG	25+	BGA	2140	全新原裝!現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	K4E641612C-GL60T00	SAMSUNG	23+	BGA	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
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深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	K4E641612C-TC50	SAMSUNG/三星	1824+	TSOP	3230	原裝現(xiàn)貨專業(yè)代理,可以代拷程序	詢價(jià)

更多K4E641612C供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 11:04:00

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