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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
K4E661612B	文件：885.22 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：885.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E661612B-L	文件：885.22 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：885.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E661612B-TC	文件：885.22 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：885.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E661612C	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：884.02 Kbytes 頁(yè)數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E661612C-L	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：884.02 Kbytes 頁(yè)數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E661612C-T	文件：884.02 Kbytes Page：36 Pages	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f 文件：884.02 Kbytes 頁(yè)數(shù)：36 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
K4E661612B
制造商：
SAMSUNG
制造商全稱(chēng)：
Samsung semiconductor
功能描述：
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	24+	BGA	1172		詢(xún)價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	25+	BGA	2140	全新原裝!現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	23+	BGA	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!	詢(xún)價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG/三星	2447	BGA	100500	一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG/三星	23+	BGA	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG/三星	25+	BGA	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市勝彬電子有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	22+	BGA	8000	原裝正品支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
深圳龐田科技有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	BGA	4425	專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢(xún)價(jià)
上海凌岳電子科技有限公司（上海涵恩科技）	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	2023+	BGA	3000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	K4E661612B-GL60	SAMSUNG	23+	BGA	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)

更多K4E661612B供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 13:31:00

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