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K4E640812E-JCSLASHL	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe 文件：190.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E640812E-TC/L	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe 文件：190.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E640812E-TCSLASHL	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe 文件：190.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E640812B	文件：416.71 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe 文件：416.71 Kbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E640812C	文件：416.25 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe 文件：416.25 Kbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K4E640812E	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe 文件：190.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	K4E640812E-TC50	SAMSUNG/三星	25+	TSSOP	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	K4E640812E-TC60	SAMSUNG	02+	TSOP	2255	全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	K4E640812E-TC60	SAMSUNG	25+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	K4E640812E-TC60	SAMSUNG	25+	SSOP	5	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
上海專毅電子科技有限公司	K4E640812E-TC60	SAMSUNG	17+	TSOP	9988	只做原裝進(jìn)口,自己庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	K4E640812E-TC60	SAMSUNG	22+	SSOP	5000	全新原裝現(xiàn)貨!自家?guī)齑?	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	K4E640812E-TC60	SAMSUNG	25+23+	TSOP32	7975	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市英卓爾科技有限公司	K4E640812E-TC60	SAMSUNG	20+	SSOP	2960	誠(chéng)信交易大量庫(kù)存現(xiàn)貨	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	K4E640812E-TC60	SAMSUNG	24+	TSOP32	9860	原裝現(xiàn)貨/放心購(gòu)買(mǎi)	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	K4E640812E-TC60	SAMSUNG	25+	SSOP	5	普通	詢價(jià)

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