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IXTH3N100P	文件：155.83 Kbytes Page：4 Pages	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：155.83 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
IXTH3N100P	文件：336.58 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：336.58 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
IXTH3N100P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道標準 Polar? MOSFET ? 國際標準包裝 \n? 動態(tài)dv/dt評級\n? 較低的RDS(on)和Qg\n? 雪崩評級\n? 較低的封裝電感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTP3N100P	文件：155.83 Kbytes Page：4 Pages	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：155.83 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
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MTB3N100E	文件：262.24 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components with higher power and lower RDS(on) capabilities. This high voltage MOSFET uses an advanced termination s 文件：262.24 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA

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更多IXTH3N100P供應(yīng)商更新時間2026-1-22 14:00:00