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    IRG4BC30FPBF

    Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

    Features ? Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). ? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 ? Industry standard TO-220AB package ? Lead-Free Benefits ? Generatio

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    IRF

    IRG4BC30FD

    Fit Rate / Equivalent Device Hours

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    IRF

    IRG4BC30FD1PBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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    IRF

    IRG4BC30FD1PBF_15

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

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    IRF

    IRG4BC30FDPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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    IRG4BC30FDPBF_15

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

    文件:397.06 Kbytes 頁數:10 Pages

    IRF

    IRG4BC30FD-SPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

    文件:1.21922 Mbytes 頁數:11 Pages

    IRF

    IRG4BC30FD-SPBF_15

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

    文件:1.21922 Mbytes 頁數:11 Pages

    IRF

    IRG4BC30FPBF

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

    文件:311 Kbytes 頁數:8 Pages

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    IRG4BC30FPBF_15

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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    IRF

    產品屬性

    • 產品編號:

      IRG4BC30F

    • 制造商:

      Infineon Technologies

    • 類別:

      分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      卷帶(TR)

    • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

      1.8V @ 15V,17A

    • 開關能量:

      230μJ(開),1.18mJ(關)

    • 輸入類型:

      標準

    • 25°C 時 Td(開/關)值:

      21ns/200ns

    • 測試條件:

      480V,17A,23 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-220-3

    • 供應商器件封裝:

      TO-220AB

    • 描述:

      IGBT 600V 31A 100W TO220AB

    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多IRG4BC30F供應商 更新時間2026-1-22 16:20:00

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